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ARM與中芯國際針對移動與消費應用擴展28納米制程工藝IP合作

發表于:2014-02-17     來源:本站     瀏覽次數: 31661

ARM與中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業中芯國際近日共同宣布,雙方針對ARM® Artisan® 物理IP簽訂合作協議,為中芯國際的28納米poly SiON(PS)制程工藝提供高性能、高密度、低功耗的系統級芯片(SoC)設計支持。

基于這項合作,中芯國際與ARM將為廣大的消費應用提供全面的物理IP平臺與先進制程工藝技術。這些應用均針對快速成長的智能手機、平板電腦、無線設備、以及智能家居等市場。

中芯國際設計服務中心資深副總裁湯天申博士表示:“我們對于能夠支持ARM Artisan標準單元與新一代內存編譯器,感到十分高興。這次與ARM的進一步合作將有助于我們的客戶在成本與功耗上實現更優異的SoC設計。”

ARM執行副總裁兼物理設計部門總經理Dipesh Patel博士表示:“ARM Artisan標準單元與內存編譯器可為客戶提供高質量與符合硅標準的設計產品,完全滿足客戶在縮短上市時間的要求。通過與中芯國際加深在28納米 PS工藝上的合作,ARM再次踐行了我們的一貫承諾—與業界領先的晶圓代工企業強強聯手,為客戶提供最佳的SoC設計實現。”

ARM物理IP平臺

針對中芯國際28納米poly SiON(PS)制程工藝的ARM Artisan物理IP平臺,為實現廣泛的性能范圍及經過面積優化的低功耗SoC設計提供了基礎構件。同時,ARM經過硅驗證的IP平臺提供了全面的整套內存編譯器、標準單元與邏輯IP以及通用型的接口產品,以應對大部分移動通信與計算對性能與功耗的需求。

通過ARM標準單元庫及內存編譯器,配合多溝道及混合閾值電壓(Vt)特性,用戶不僅能夠利用到中芯國際poly SiON尖端制程工藝的性能與功耗范圍,還將獲得更廣泛的性能與功率譜。這些特性確保了在重視性能的SoC設計的同時,也能滿足功耗需求。

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